存储器概述

访问性能指标

• 访问时间:读或写操作所用的时间，即从给定地址到存储器完成读或写所需时间
• 存储周期:两次访问存储段原的最小时间间隔
• 带宽/数据传输速率:带宽=频率*字宽

半导体存储器

• SRAM:静态存储器，相对动态而言，不必刷新(寄存器、一级/二级/三级缓存)
• DRAM:动态存储器，需要刷新，集成度高(内存)
• ROM:只读存储器，bios启动

存储单元电路

• SRAM:双极晶体管或MOS管
• DRAM:电容保存数据，有电荷代表1，无电荷代表0。电容可能漏电流需要补充，称之为刷新

存储芯片内部结构

存储芯片容量的基本描述(字单元数$\times$每个字单元的位数) 例：1k$\times$2:1024个字单元，每个字单元两位 存储芯片容量的描述:$2^n\times m$，其中存储位元:$2^n\times m$，地址线:$n$位$\rightarrow 2^n$个字单元,$A_{n-1}…A_0$单向，数据线:$n$位$\rightarrow m$个字单元,$D_{n-1}…D_0$双向